时间:2009年6月22日 下午2点

　　地点:清华大学 FIT 大厦 1区415房间(四层)

　　演讲人:刘虹越 博士 (美国希捷公司高级工程主任)

　　名额有限请预约报名：snia@snia.org.cn Mob：13501375935

　　演讲内容:

　　在过去的几十年,传统硬盘在信息存储市场一直是一枝独秀。但是基于NAND闪存存储器的固态硬盘(SSD)作为下一代存储器件正变得越来越受到人们的关注。这是因为固态硬盘具有很多特殊优势，比如其高读写速率、低能耗、高可靠性，以及平均到每个数据进出的价格更低。在未来几年内，固态硬盘还无法取代传统硬盘成为主流市场，但是固态硬盘已经成为传统硬盘的重要补充，应用于企业及客户端市场。据市场调研机构预测，全球固态硬盘市场在2012年之前将会达到每年60亿美元。

　　固态硬盘的重要组成部分是非易失性存储器。现在固态硬盘几乎全部使用NAND闪存存储器，但是业内人士都知道NAND闪存存储器并不完美。这些忧虑主要是和它的耐用性(Endurance)和可微缩性(Scaling)有关。业内人士一致认为，在2xnm技术节点开发NAND闪存存储器将会遇到巨大挑战。因此，现在就应该开始考虑如何开发下一代非易失性存储器件。

　　在本次讲座中，刘虹越博士将会讨论希捷公司内和下一代非易性存储器件有关的技术内容。

　　演讲人介绍

　　刘虹越博士1991年毕业于清华大学物理系,1996年获得宾夕法尼亚州立大学材料系博士学位。

　　毕业后加入霍尼韦尔(Honeywell)固态电子中心，担任半导体制成整合工程师。之后，在美国航天飞机工程等重要项目中的存储器芯片设计与抗辐射加固技术领域发挥了领导作用。

　　自2005年起，刘虹越博士任国际SOI( Silicon-on-insulator)会议高级技术委员会成员。2007年1月，加入希捷公司担任高级工程总监，领导开发了下一代非挥发性记忆体技术，包括STRAM及RRAM。

　　此外，刘虹越博士担任了希捷公司存储产品事业部专利审查委员会主席，在半导体电路设计和集成领域公认的权威专家，多次被邀在相关领域国际重大会议上做专题演讲，同时发表过多篇技术论文。

　　目前，刘虹越博士具有22项美国专利，另有40项专利正在申请。